文章分類(lèi): 功率

EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaN FET

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
| 分類(lèi): 功率
2月27日,EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET,為DC-DC轉換、快速充電、電機驅動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱(chēng),這是市場(chǎng)上導通電阻最低的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,功率密度...  [詳內文]

晶圓級立方SiC單晶生長(cháng)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
| 分類(lèi): 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能,在新能源汽車(chē)、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內文]

GaN開(kāi)啟了“無(wú)限復制”時(shí)代!

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 21 日 17:55 |
| 分類(lèi): 功率
2月21日,光州科學(xué)技術(shù)院(GIST,校長(cháng)Kichul Lim)宣布,學(xué)校電氣工程與計算機科學(xué)學(xué)院的Dong-Seon Lee教授的研究團隊已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了僅采用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的氮化鎵(GaN)半導體遠程同質(zhì)外延技術(shù)。 外延技術(shù),即在半導體制造中將半導體材料生長(cháng)成...  [詳內文]

SiC營(yíng)收增長(cháng)93%,X-FAB全球晶圓廠(chǎng)將擴張

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 20 日 14:42 |
| 分類(lèi): 功率
近日,世界SiC晶圓代工龍頭X-FAB公布了其第四季度以及全年營(yíng)收。 X-FAB的汽車(chē)、工業(yè)和醫療核心業(yè)務(wù)增長(cháng)了31%,占總收入的91%,并且在過(guò)去五年中每年增長(cháng)22%。 2024年第一季度的收入預計將在2.15億美元至2.25億美元(折合人民幣約15.5億元至16.2億元)之間...  [詳內文]

英飛凌、京瓷GaN/SiC新動(dòng)作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 19 日 11:48 |
| 分類(lèi): 功率
年關(guān)將至,國內企業(yè)準備迎接新年,而國外企業(yè)的合作動(dòng)作卻不曾停下。 Worksport便攜式電源產(chǎn)品采用英飛凌GaN器件 英飛凌宣布與Worksport合作,后者將在其便攜式發(fā)電站的轉換器中使用GaN功率半導體。 該公司的COR電池系統可以集成到皮卡車(chē)中,也可以通過(guò)任何太陽(yáng)能電池板...  [詳內文]

SiC營(yíng)收增長(cháng)4倍!安森美公布2023年全年業(yè)績(jì)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 06 日 17:54 |
| 分類(lèi): 功率
2月5日,安森美在官網(wǎng)公布了2023年第四季度和全年業(yè)績(jì)。 報告顯示,安森美2023年第四季度營(yíng)收為20.181億美元,符合公司此前19.5億美元-20.5億美元的預期,上季度營(yíng)收為21.808億美元。 安森美2023年全年營(yíng)收為82.53億美元,去年營(yíng)收為83.263億美元;...  [詳內文]

昕感科技6-8吋功率半導體廠(chǎng)房項目全面封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 31 日 17:19 |
| 分類(lèi): 功率
1月30日,昕感科技6-8吋功率半導體制造項目封頂活動(dòng)在江蘇江陰高新區隆重舉行。該項目自2023年8月8日啟動(dòng)以來(lái),歷時(shí)174天,總計投資超10億元。至此,昕感科技成為國內極少數能夠兼容6-8吋晶圓特色工藝生產(chǎn)的廠(chǎng)商,將全面助力國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。 source:昕感科技 昕...  [詳內文]

首個(gè)1700V GaN HEMT器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 24 日 17:17 |
| 分類(lèi): 功率
近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng )新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團隊等等合作攻關(guān),通過(guò)采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導體創(chuàng )新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實(shí)現了1700V GaN HEMTs...  [詳內文]

瘋狂的碳化硅,國內狂追

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 24 日 16:58 |
| 分類(lèi): 功率
近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。 1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長(cháng)期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)...  [詳內文]

SiC/GaN的2023年:10大年度事件盤(pán)點(diǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 22 日 10:55 |
| 分類(lèi): 功率
歲末已至,“集邦化合物半導體”評選出了2023年度行業(yè)十大事件與大家分享。 一同回顧不凡的2023年。 作為近年來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)熱議話(huà)題之一,第三代半導體在能源結構升級的過(guò)程中發(fā)揮著(zhù)重要的作用。 隨著(zhù)新能源汽車(chē)、光伏、儲能、充電樁等場(chǎng)景對電能轉換效率提出更高的要求,同時(shí)在成本和安...  [詳內文]