文章分類： 企業(yè)

安森美加快8英寸碳化硅生產(chǎn)進度

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 |
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9月18日，據(jù)臺媒報道，安森美將加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)進度，預(yù)計從2025年開始，可根據(jù)市場需求進行產(chǎn)能轉(zhuǎn)換。 source：安森美 法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導(dǎo)體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導(dǎo)體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

5.2億，天科合達加碼碳化硅設(shè)備賽道

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 14 日 18:00 |
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這家國內(nèi)碳化硅襯底龍頭廠商，正在殺入碳化硅設(shè)備細分領(lǐng)域。 9月10日，據(jù)“沈陽高新區(qū)”官微消息，天科合達近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目。 據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方...  [詳內(nèi)文]

長光華芯：公司及全資子公司獲得政府補助1127.40萬元

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 14 日 18:00 |
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9月9日晚間，長光華芯發(fā)布關(guān)于獲得政府補助的公告（以下簡稱：公告）。 公告顯示，長光華芯及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元，其中與收益相關(guān)的政府補助1117.40萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補助10萬元。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 長光華芯...  [詳內(nèi)文]

富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 13 日 18:00 |
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氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料，近年來熱度不斷上漲，頻頻傳出各類利好消息。 9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖...  [詳內(nèi)文]

時代電氣：已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 13 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
9月10日，時代電氣參加投資者調(diào)研活動，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進展情況。 其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計今年形成銷售，明年實現(xiàn)批量推廣。 圖片來源：拍信網(wǎng)正...  [詳內(nèi)文]

嘉晶電子8英寸碳化硅外延片預(yù)計Q4送樣

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 13 日 17:29 |
| 分類: 企業(yè)
9月12日，據(jù)MoneyDJ報道，嘉晶電子今年上半年硅外延營收年減12%，展望明年，公司認為，硅外延明年需求將逐漸恢復(fù)。 在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來需求會逐步上升，應(yīng)用市場包括在電動車、AI、資料中心、機器人等，估化合物半導(dǎo)體的...  [詳內(nèi)文]

Soitec在歐洲啟動Move2THz項目，開發(fā)基于InP的高頻半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 12 日 15:03 |
| 分類: 企業(yè)
9月10日，據(jù)Soitec官網(wǎng)消息，由Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開始著手開發(fā)基于磷化銦（InP）的下一代高頻半導(dǎo)體。 source：Soitec 這項技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué)，用于6G移動通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 12 日 14:55 |
| 分類: 企業(yè)
9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。 source：英飛凌 英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動氮化鎵功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。 英飛凌表示，12英寸晶圓與...  [詳內(nèi)文]