文章分類(lèi): 功率

碳化硅新應用,熱電池轉換效率創(chuàng )新高

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:33 |
| 分類(lèi): 功率
長(cháng)時(shí)間電網(wǎng)級儲能將出現新的解方。美國密西根大學(xué)開(kāi)發(fā)的熱電池,其熱能轉換器效率達到44%,表現也優(yōu)于常見(jiàn)的蒸汽渦輪機,其平均效率為35%。 太陽(yáng)能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌,但是只有再生能源價(jià)格下降還不夠,因為綠能為間歇性能源,日落或是沒(méi)有風(fēng)的時(shí)候,還是需要“電池“等儲能系統輔助,...  [詳內文]

涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:31 |
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6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導體供應。根據該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導體創(chuàng )新和制造的長(cháng)期戰略進(jìn)行合作,雙方共同目標是推進(jìn)美國國內芯片制造和封裝生態(tài)系統,主要針對航空航天和國防系...  [詳內文]

120億+15億,國內2個(gè)8英寸碳化硅項目迎來(lái)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:05 |
| 分類(lèi): 功率
近日,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目在海滄正式開(kāi)工。 該項目總投資120億元,建設一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn),建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項目分兩期建設,其中,一期項目總投資70億...  [詳內文]

碳化硅市場(chǎng)硝煙四起

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 14:11 |
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近期市場(chǎng)最新消息顯示,安森美onsemi將投資高達20億美元提高其在捷克共和國的半導體產(chǎn)量,以擴大該公司在歐洲的產(chǎn)能。近幾年,SiC功率元件市場(chǎng)競爭十分激烈。 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下保持強勁成長(cháng),前五大Si...  [詳內文]

士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 16:55 |
| 分類(lèi): 功率
據廈門(mén)廣電網(wǎng)消息,6月18日上午,士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)在海滄區開(kāi)工。 source:士蘭微 該項目總投資120億元,分兩期建設,兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)后將成為國內第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權、產(chǎn)能規模最...  [詳內文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:55 |
| 分類(lèi): 功率
第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是第三代半導體發(fā)展的重要方向。 據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基...  [詳內文]

從自研芯片到800V,碳化硅上車(chē)革命“進(jìn)行時(shí)”

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 16:49 |
| 分類(lèi): 功率
自研芯片、800V SiC高壓平臺……新能源車(chē)的半導體革命? 汽車(chē)行業(yè)的“自研芯片派”正在持續擴大。 5月30日,吉利汽車(chē)正式發(fā)布了聯(lián)合星紀魅族共同打造的“銀河Flyme Auto”智能座艙系統。據悉,銀河Flyme Auto采用的是吉利自研并量產(chǎn)了的7n...  [詳內文]

復旦大學(xué)在可見(jiàn)光通信藍光激光mini-LD芯片方面取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 07 日 9:39 |
| 分類(lèi): 功率
近期復旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院遲楠團隊聯(lián)合鵬城實(shí)驗室余少華院士與沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)Boon Ooi教授,在可見(jiàn)光通信關(guān)鍵光源器件研究方面取得了突破性進(jìn)展,利用極性面氮化鎵(GaN)材料設計研制了一種具有大帶寬的窄脊短腔激光器(mini-LD),將高速光源的帶寬從1GHz左右...  [詳內文]

投資1000億韓元,韓國首座8英寸SiC工廠(chǎng)開(kāi)建

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 06 日 17:59 |
| 分類(lèi): 功率
6月5日,韓國貿易、工業(yè)和能源部宣布,韓國本土半導體制造商EYEQ Lab已開(kāi)始在釜山功率半導體元件和材料特區內建設韓國首座8英寸碳化硅功率半導體工廠(chǎng),該項目已于5日上午舉行了奠基儀式。 據悉,EYEQ Lab公司成立于2018年5月,原本是一家功率半導體無(wú)晶圓廠(chǎng)公司。此番計劃投...  [詳內文]

安徽六安大力推進(jìn)氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)基地建設

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 04 日 10:08 |
| 分類(lèi): 功率
安徽六安市半導體產(chǎn)業(yè)在芯片制造與測試、器件制造、化學(xué)材料等領(lǐng)域已陸續開(kāi)展布局,以格恩半導體為核心的氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展勢頭良好。全市現有半導體產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)3家,半導體在建項目10個(gè)、總投資71.15億元;產(chǎn)業(yè)鏈下游終端應用電子信息企業(yè)115家,項目28個(gè)、總投資319.28億...  [詳內文]