Tag Archives: GaN

化合物半導體晶圓廠(chǎng)商IQE預計上半年銷(xiāo)售額增長(cháng)強勁

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
7月23日,化合物半導體晶圓制造商IQE更新了最新業(yè)務(wù)發(fā)展情況,并計劃于2024年9月10日公布中期業(yè)績(jì)。IQE表示,2024年上半年收入增長(cháng)符合管理層的預期,預計銷(xiāo)售額將至少達到6500萬(wàn)英鎊(約6.1億人民幣),相較2023年上半年至少增長(cháng)25%,相較2023年下半年可能增長(cháng)...  [詳內文]

封頂、通線(xiàn),2個(gè)第三代半導體項目取得新進(jìn)展

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
近日,株洲諾天電熱科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)諾天科技)碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地、廣東中科半導體微納制造技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)廣東微納院)半導體微納加工中試平臺等第三代半導體相關(guān)項目披露了最新進(jìn)展。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫 諾天科技碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目主體結構封頂...  [詳內文]

931萬(wàn),BlusGlass出售GaN專(zhuān)利給歐洲晶圓開(kāi)發(fā)商

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 11 日 13:41 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日,半導體開(kāi)發(fā)商BluGlass Limited宣布,通過(guò)轉讓專(zhuān)用晶圓上的氮化鎵(GaN)生長(cháng)技術(shù)相關(guān)知識產(chǎn)權(IP)給代工客戶(hù),公司已從一家歐洲晶圓開(kāi)發(fā)商手中獲得了128萬(wàn)美元(折合人民幣約931萬(wàn)元)轉讓費。 圖片source:拍信網(wǎng) 基于一項有償開(kāi)發(fā)合同,自2022年1...  [詳內文]

晶圓代工大廠(chǎng)出手,GaN新添2起收購

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:56 | 分類(lèi) 企業(yè)
步入7月,氮化鎵(GaN)領(lǐng)域新增兩起收購案。 格芯收購Tagore GaN技術(shù)和相關(guān)團隊 7月1日,晶圓代工大廠(chǎng)格芯(GF)宣布,公司收購了Tagore Technology經(jīng)生產(chǎn)驗證的專(zhuān)有功率氮化鎵(GaN)IP產(chǎn)品組合。 source:拍信網(wǎng) 該產(chǎn)品組合是一種高功率密度解...  [詳內文]

涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達成合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類(lèi) 功率
6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導體供應。根據該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導體創(chuàng )新和制造的長(cháng)期戰略進(jìn)行合作,雙方共同目標是推進(jìn)美國國內芯片制造和封裝生態(tài)系統,主要針對航空航天和國防系...  [詳內文]

布局GaN,臺達電子攜手TI成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:03 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月21日,臺達電子宣布與全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商德州儀器(TI)成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室。 臺達表示,此舉不僅深化雙方長(cháng)期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵(GaN)等半導體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng )新技術(shù),強化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強臺達在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競...  [詳內文]

啟方半導體計劃年內完成開(kāi)發(fā)650V GaN HEMT

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分類(lèi) 企業(yè)
據外媒報道,6月19日,韓國8英寸純晶圓代工廠(chǎng)SK Key Foundry(啟方半導體)宣布,公司已確認650伏氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的特性,正加大開(kāi)發(fā)力度,預計年內完成開(kāi)發(fā)。 因GaN具有高速開(kāi)關(guān)和低電阻特性,它被稱(chēng)為下一代功率半導體,比現有的硅(S...  [詳內文]

德州儀器發(fā)布GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 17:12 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月18日,德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)推出了適用于 250W 電機驅動(dòng)器應用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調 (HVAC) 系統時(shí)通常面臨的許多設計和性能折衷問(wèn)題。DRV730...  [詳內文]

英諾賽科、CGD推出多款GaN新品

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 04 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
近期,GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續上漲,技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項目建設、融資并購、廠(chǎng)商合作等各類(lèi)動(dòng)態(tài)讓人目不暇接,而在近日,英諾賽科、CGD兩家廠(chǎng)商接連發(fā)布了多款GaN新品,在一定程度上顯示了終端應用需求正在持續增長(cháng)。 英諾賽科發(fā)布三款GaN驅動(dòng)器產(chǎn)品 5月30日,據英諾賽科官微消息,其宣布...  [詳內文]

TrendForce:SiC/GaN功率半導體市場(chǎng)格局與應用分析

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 31 日 8:54 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
經(jīng)歷下行周期的半導體產(chǎn)業(yè)在2024年迎來(lái)較為積極的增長(cháng)態(tài)勢,AI人工智能以及新能源汽車(chē)等驅動(dòng)之下,半導體需求正逐步提升。 AI運行需要大量的計算資源以進(jìn)行模型訓練與推理,這一過(guò)程中要用到高性能計算芯片包括GPU、ASIC、FPGA等,還有HBM等存儲器芯片。 另外,為滿(mǎn)足更高階的...  [詳內文]