國內(nèi)首套碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 23 日 18:10 | 分類 功率

據(jù)新聞晨報報道,8月21日,從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱通用半導(dǎo)體)傳來消息,由該公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè),并投入生產(chǎn)。

據(jù)了解,該設(shè)備可實現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片,將極大地提升我國碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的自主化、產(chǎn)業(yè)化水平。該設(shè)備年可剝離碳化硅襯底20000片,實現(xiàn)良率95%以上,與傳統(tǒng)的線切割工藝相比,大幅降低了產(chǎn)品損耗,而設(shè)備售價僅僅是國外同類產(chǎn)品的1/3。

值的一提的是,今年7月,通用半導(dǎo)體自研的碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片。

資料顯示,通用半導(dǎo)體成立于2019年,致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。

在融資方面,通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資,投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構(gòu)。

在產(chǎn)品方面,通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導(dǎo)體激光隱形切割機;2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備(針對3D Memory);2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線;2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備(針對3D HBM)。

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司董事長陶為銀介紹,采用基于激光工具和加工技術(shù)切割、剝離碳化硅晶錠,可實現(xiàn)高效、精確和高質(zhì)量的制造,極大地降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本,減少浪費和環(huán)境影響。(文:集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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