2024年以來，SiC產業(yè)延續(xù)了2023年的火熱態(tài)勢，企業(yè)圍繞技術研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產能建設等方面忙得不亦樂乎，各大廠商頻頻有利好消息傳出。
在投資擴產大旗下，2024年以來已有超30個項目披露了新進展，或簽約、或開工、或封頂、或投產，各個項目都在積極推進當中，不斷為SiC產業(yè)發(fā)展注入新動力。
這數十個項目中，不乏投資上百億的大手筆，彰顯了相關企業(yè)對于自身以及整個SiC產業(yè)發(fā)展的信心。
新項目占據半壁江山
在新能源汽車、光儲充等市場需求推動下，SiC功率器件用量持續(xù)走高，前景光明。據TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。
盡管SiC功率器件市場規(guī)模將持續(xù)增長，但其仍處于供不應求狀態(tài)，擴產順理成章，在市場大蛋糕吸引下，眾多SiC相關廠商紛紛加入投資擴產行列。2024年以來，據集邦化合物半導體不完全統計，有十多個SiC相關項目簽約落地或進行環(huán)評公示，這些項目都在進行開工前準備工作。
從投資規(guī)模來看，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目、賽達半導體SiC外延項目、連城數控第三代半導體設備研發(fā)制造項目、摩珂達SiC項目、江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目總投資額均在10億元（含）以上。其中，摩珂達SiC項目將投資超50億元，成為規(guī)模方面的領頭羊。
從產能來看，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目規(guī)劃建設年產90萬套SiC半橋模塊制造生產線及相關配套，賽達半導體SiC外延項目2027年規(guī)劃產能為30萬片/年，普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片產業(yè)化項目將實現年產24萬片SiC外延片，東尼電子擴建SiC項目將年產20萬片SiC襯底，江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目（一期）將年產40萬片SiC襯底，這些項目在產能方面成為佼佼者。
從內容來看，這些新落地項目覆蓋SiC產業(yè)鏈大部分環(huán)節(jié)，部分新項目聚焦襯底/外延環(huán)節(jié)，這是SiC功率器件生產的關鍵環(huán)節(jié)，也是能夠快速有效實現降本增效的部分，包括天睿半導體項目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底產業(yè)化項目等。
其中，天睿半導體項目將新建8英寸SiC和GaN晶圓廠，并通過產業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關設備生產等全產業(yè)鏈。
部分新項目致力于生產SiC功率器件/模塊，包括臻驅半導體SiC功率模塊項目、揚杰科技SiC模塊封裝項目、愛矽科技車規(guī)級SiC模塊封裝產品項目等。其中，揚杰科技是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。
這些新項目當中，連城數控第三代半導體設備研發(fā)制造項目是少有的SiC設備相關項目。該項目擬投資不超過10.5億元，規(guī)劃建設SiC長晶和加工設備的研發(fā)和生產制造基地。
在SiC設備方面，連城數控于2020年底開始對SiC晶體生長爐進行研發(fā)立項，2021年9月開始對SiC等超硬材料多線切割機研發(fā)立項。2023年上半年，連城數控取得了多項技術研發(fā)成果，如創(chuàng)新推出單晶爐設備“一鍵拉晶”系統、液相法SiC長晶爐順利下線并取得客戶數臺訂單、SiC立式感應合成爐科研成果通過專家團鑒定等。
巨頭云集，項目建設熱火朝天
2024年以來，已開工、正在積極建設中的項目同樣數量眾多、各具特色。其中，三責新材南通二期高精度高純度半導體設備用SiC部件項目于3月15日開工，作為九峰山實驗室重大配套工程的武漢新城化合物半導體孵化加速及制造基地項目則于5月6日開工。
同時，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、湖南三安半導體基地項目二期、重慶三安半導體SiC襯底項目、天域半導體總部、生產制造中心和研發(fā)中心建設項目、天科合達SiC項目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項目建設取得新進展。
其中，湖南三安半導體基地二期工程在今年1月已進入廠房裝修后期階段，總投資為80億元，全面達產后將實現50萬片6英寸SiC襯底的年產能；2月初，重慶三安半導體SiC襯底項目B1棟封頂，規(guī)劃總投資70億元，規(guī)劃年產能為8英寸SiC襯底48萬片；作為今年以來少有的傳出新進展的國際廠商項目，耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。
這些正在積極推進的項目，大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面，天域半導體總部、生產制造中心和研發(fā)中心建設項目投資額達80億元，建成后用于生產6英寸/8英寸SiC外延片，總產能達150萬片/年，第一期預計在今年4月開始投產。基于此項目，天域半導體有望成為國內較早實現8英寸量產的企業(yè)之一。
器件方面，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產。該項目總投資預計200億元，一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。
2024年內，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、嘉興斯達SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目、天域半導體總部、生產制造中心和研發(fā)中心建設項目、天科合達SiC項目二期等有望竣工投產，為SiC材料及器件領域發(fā)展注入新動力。
產能可觀，多個項目進入量產前夜
在2023年的緊張建設后，部分項目在2024年迎來了驗收或投產的高光時刻，包括重投天科第三代半導體SiC材料生產基地、同光股份SiC襯底和粉體項目、斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目、智新科技SiC模塊項目二期等。
其中，重投天科第三代半導體SiC材料生產基地于2月27日正式啟用。該項目總投資32.7億元，重點布局6英寸SiC單晶襯底和外延生產線，預計今年襯底和外延產能達25萬片。
今年3月，同光股份旗下的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收。該項目自2017年啟動規(guī)劃，歷時七年，于2024年3月順利完成驗收，意味著該項目全面投入生產已無障礙。
與此同時，斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目正處于試生產階段，該項目達產后，將形成年產240萬套SiC半橋模塊的生產能力。在SiC產品加速上車趨勢下，該項目有望成為斯科半導體業(yè)績增長新引擎。
總結
SiC材料的供應緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發(fā)展的主要因素之一，國內外SiC相關廠商順勢開啟了洶涌的擴產潮，并延續(xù)到了2024年，賽達半導體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠商圍繞襯底外延材料，紛紛開啟了年產能達數十萬片的大項目，將有助于緩解材料供不應求的現狀。
而在大手筆的產能擴張背后亦蘊藏著價格下跌和產能過剩風險，正在或計劃擴產的廠商們必須重視相關潛在風險并積極調整應對。在此情況下，在SiC襯底外延材料市場供應趨于穩(wěn)定后，相關廠商將更多注意力轉移到器件、設備和終端應用等方面，一定程度上將是更加明智的選擇，更有利于提升競爭力。
2024年以來，晶能微電子、臻驅半導體、揚杰科技、摩珂達、愛矽科技新簽約SiC功率器件/模塊項目，連城數控則新簽約SiC設備項目，都有望在對應的細分賽道分一杯羹。
車用場景目前仍然是SiC最大應用市場，圍繞車規(guī)級SiC產品，揚杰科技、泰科天潤、斯科半導體、智新科技、重慶三安等企業(yè)相關項目均取得了積極進展，有望加快車規(guī)級SiC產品國產替代進程。
2024年取得新進展的項目當中，部分為在已有項目基礎上進行的擴建，也有部分項目主體在2024年首次規(guī)劃SiC相關項目，彰顯了SiC產業(yè)是一片投資興業(yè)的熱土，未來大概率將有更多廠商投建項目，也將有更多項目落地實施。
整體來看，SiC產業(yè)目前是一個快速成長的市場，各大廠商都意識到了規(guī)模的重要性，圍繞SiC全產業(yè)鏈開啟了宏偉的增資擴產計劃，可以預見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC產業(yè)的競爭將日益激烈。（文：集邦化合物半導體Zac）
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