超1300億!2024年數十個(gè)SiC項目有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 09 日 18:10 | 分類(lèi) 功率

2024年以來(lái),SiC產(chǎn)業(yè)延續了2023年的火熱態(tài)勢,企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產(chǎn)能建設等方面忙得不亦樂(lè )乎,各大廠(chǎng)商頻頻有利好消息傳出。

在投資擴產(chǎn)大旗下,2024年以來(lái)已有超30個(gè)項目披露了新進(jìn)展,或簽約、或開(kāi)工、或封頂、或投產(chǎn),各個(gè)項目都在積極推進(jìn)當中,不斷為SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。

這數十個(gè)項目中,不乏投資上百億的大手筆,彰顯了相關(guān)企業(yè)對于自身以及整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的信心。

新項目占據半壁江山

在新能源汽車(chē)、光儲充等市場(chǎng)需求推動(dòng)下,SiC功率器件用量持續走高,前景光明。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究,2023年全球SiC Power Device市場(chǎng)規模約30.4億美元,至2028年有望上升至91.7億美元,CAGR達25%。

盡管SiC功率器件市場(chǎng)規模將持續增長(cháng),但其仍處于供不應求狀態(tài),擴產(chǎn)順理成章,在市場(chǎng)大蛋糕吸引下,眾多SiC相關(guān)廠(chǎng)商紛紛加入投資擴產(chǎn)行列。2024年以來(lái),據集邦化合物半導體不完全統計,有十多個(gè)SiC相關(guān)項目簽約落地或進(jìn)行環(huán)評公示,這些項目都在進(jìn)行開(kāi)工前準備工作。

從投資規模來(lái)看,嘉興國家高新區SiC半橋模塊制造項目、賽達半導體SiC外延項目、連城數控第三代半導體設備研發(fā)制造項目、摩珂達SiC項目、江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目總投資額均在10億元(含)以上。其中,摩珂達SiC項目將投資超50億元,成為規模方面的領(lǐng)頭羊。

從產(chǎn)能來(lái)看,嘉興國家高新區SiC半橋模塊制造項目規劃建設年產(chǎn)90萬(wàn)套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)配套,賽達半導體SiC外延項目2027年規劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年,普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目將實(shí)現年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC外延片,東尼電子擴建SiC項目將年產(chǎn)20萬(wàn)片SiC襯底,江西罡豐第三代半導體襯底外延建設項目(一期)將年產(chǎn)40萬(wàn)片SiC襯底,這些項目在產(chǎn)能方面成為佼佼者。

從內容來(lái)看,這些新落地項目覆蓋SiC產(chǎn)業(yè)鏈大部分環(huán)節,部分新項目聚焦襯底/外延環(huán)節,這是SiC功率器件生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節,也是能夠快速有效實(shí)現降本增效的部分,包括天睿半導體項目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目等。

其中,天睿半導體項目將新建8英寸SiC和GaN晶圓廠(chǎng),并通過(guò)產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統應用及相關(guān)設備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。

部分新項目致力于生產(chǎn)SiC功率器件/模塊,包括臻驅半導體SiC功率模塊項目、揚杰科技SiC模塊封裝項目、愛(ài)矽科技車(chē)規級SiC模塊封裝產(chǎn)品項目等。其中,揚杰科技是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的廠(chǎng)商。

這些新項目當中,連城數控第三代半導體設備研發(fā)制造項目是少有的SiC設備相關(guān)項目。該項目擬投資不超過(guò)10.5億元,規劃建設SiC長(cháng)晶和加工設備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

在SiC設備方面,連城數控于2020年底開(kāi)始對SiC晶體生長(cháng)爐進(jìn)行研發(fā)立項,2021年9月開(kāi)始對SiC等超硬材料多線(xiàn)切割機研發(fā)立項。2023年上半年,連城數控取得了多項技術(shù)研發(fā)成果,如創(chuàng )新推出單晶爐設備“一鍵拉晶”系統、液相法SiC長(cháng)晶爐順利下線(xiàn)并取得客戶(hù)數臺訂單、SiC立式感應合成爐科研成果通過(guò)專(zhuān)家團鑒定等。

巨頭云集,項目建設熱火朝天

2024年以來(lái),已開(kāi)工、正在積極建設中的項目同樣數量眾多、各具特色。其中,三責新材南通二期高精度高純度半導體設備用SiC部件項目于3月15日開(kāi)工,作為九峰山實(shí)驗室重大配套工程的武漢新城化合物半導體孵化加速及制造基地項目則于5月6日開(kāi)工。

同時(shí),江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、湖南三安半導體基地項目二期、重慶三安半導體SiC襯底項目、天域半導體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設項目、天科合達SiC項目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項目建設取得新進(jìn)展。

其中,湖南三安半導體基地二期工程在今年1月已進(jìn)入廠(chǎng)房裝修后期階段,總投資為80億元,全面達產(chǎn)后將實(shí)現50萬(wàn)片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能;2月初,重慶三安半導體SiC襯底項目B1棟封頂,規劃總投資70億元,規劃年產(chǎn)能為8英寸SiC襯底48萬(wàn)片;作為今年以來(lái)少有的傳出新進(jìn)展的國際廠(chǎng)商項目,耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。

這些正在積極推進(jìn)的項目,大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面,天域半導體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設項目投資額達80億元,建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸SiC外延片,總產(chǎn)能達150萬(wàn)片/年,第一期預計在今年4月開(kāi)始投產(chǎn)?;诖隧椖?,天域半導體有望成為國內較早實(shí)現8英寸量產(chǎn)的企業(yè)之一。

器件方面,長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目預計今年6月封頂,明年7月投產(chǎn)。該項目總投資預計200億元,一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。

2024年內,江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、嘉興斯達SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、天域半導體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設項目、天科合達SiC項目二期等有望竣工投產(chǎn),為SiC材料及器件領(lǐng)域發(fā)展注入新動(dòng)力。

產(chǎn)能可觀(guān),多個(gè)項目進(jìn)入量產(chǎn)前夜

在2023年的緊張建設后,部分項目在2024年迎來(lái)了驗收或投產(chǎn)的高光時(shí)刻,包括重投天科第三代半導體SiC材料生產(chǎn)基地、同光股份SiC襯底和粉體項目、斯科車(chē)規級SiC芯片模組項目、智新科技SiC模塊項目二期等。

其中,重投天科第三代半導體SiC材料生產(chǎn)基地于2月27日正式啟用。該項目總投資32.7億元,重點(diǎn)布局6英寸SiC單晶襯底和外延生產(chǎn)線(xiàn),預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬(wàn)片。

今年3月,同光股份旗下的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過(guò)驗收。該項目自2017年啟動(dòng)規劃,歷時(shí)七年,于2024年3月順利完成驗收,意味著(zhù)該項目全面投入生產(chǎn)已無(wú)障礙。

與此同時(shí),斯科車(chē)規級SiC芯片模組項目正處于試生產(chǎn)階段,該項目達產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)240萬(wàn)套SiC半橋模塊的生產(chǎn)能力。在SiC產(chǎn)品加速上車(chē)趨勢下,該項目有望成為斯科半導體業(yè)績(jì)增長(cháng)新引擎。

總結

SiC材料的供應緊缺問(wèn)題是過(guò)去幾年中限制SiC市場(chǎng)發(fā)展的主要因素之一,國內外SiC相關(guān)廠(chǎng)商順勢開(kāi)啟了洶涌的擴產(chǎn)潮,并延續到了2024年,賽達半導體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠(chǎng)商圍繞襯底外延材料,紛紛開(kāi)啟了年產(chǎn)能達數十萬(wàn)片的大項目,將有助于緩解材料供不應求的現狀。

而在大手筆的產(chǎn)能擴張背后亦蘊藏著(zhù)價(jià)格下跌和產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險,正在或計劃擴產(chǎn)的廠(chǎng)商們必須重視相關(guān)潛在風(fēng)險并積極調整應對。在此情況下,在SiC襯底外延材料市場(chǎng)供應趨于穩定后,相關(guān)廠(chǎng)商將更多注意力轉移到器件、設備和終端應用等方面,一定程度上將是更加明智的選擇,更有利于提升競爭力。

2024年以來(lái),晶能微電子、臻驅半導體、揚杰科技、摩珂達、愛(ài)矽科技新簽約SiC功率器件/模塊項目,連城數控則新簽約SiC設備項目,都有望在對應的細分賽道分一杯羹。

車(chē)用場(chǎng)景目前仍然是SiC最大應用市場(chǎng),圍繞車(chē)規級SiC產(chǎn)品,揚杰科技、泰科天潤、斯科半導體、智新科技、重慶三安等企業(yè)相關(guān)項目均取得了積極進(jìn)展,有望加快車(chē)規級SiC產(chǎn)品國產(chǎn)替代進(jìn)程。

2024年取得新進(jìn)展的項目當中,部分為在已有項目基礎上進(jìn)行的擴建,也有部分項目主體在2024年首次規劃SiC相關(guān)項目,彰顯了SiC產(chǎn)業(yè)是一片投資興業(yè)的熱土,未來(lái)大概率將有更多廠(chǎng)商投建項目,也將有更多項目落地實(shí)施。

整體來(lái)看,SiC產(chǎn)業(yè)目前是一個(gè)快速成長(cháng)的市場(chǎng),各大廠(chǎng)商都意識到了規模的重要性,圍繞SiC全產(chǎn)業(yè)鏈開(kāi)啟了宏偉的增資擴產(chǎn)計劃,可以預見(jiàn),未來(lái)隨著(zhù)市場(chǎng)規模不斷擴大,SiC產(chǎn)業(yè)的競爭將日益激烈。(文:集邦化合物半導體Zac)

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