鎵仁半導體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類(lèi) 功率

4月9日,杭州鎵仁半導體有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng )新高。

source:鎵仁半導體

據介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導通電阻、器件尺寸和更高的轉換效率,主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件,在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國防軍工等領(lǐng)域具有廣闊應用前景。此外,與目前火熱的碳化硅相比,氧化鎵的大硅片相對容易制造,有利于降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)量,市場(chǎng)潛力大。

鎵仁半導體指出,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現。首先,(010)襯底熱導率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)襯底具有較快的外延生長(cháng)速率;第三,基于(010)襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。

值得一提的是,此前,鎵仁半導體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心先進(jìn)半導體研究院、硅及先進(jìn)半導體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室,采用自主開(kāi)創(chuàng )的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導體也借此成為了國內首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

如今鎵仁半導體再次推出新產(chǎn)品——2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),對國內氧化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫國際壟斷起正面作用。(集邦化合物半導體Morty整理)

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