文章分類(lèi): 氮化鎵GaN

GaN中高壓應用蓄勢待發(fā),外延結構扮演重要角色

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:26 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
GaN開(kāi)始為人所知是在光電LED市場(chǎng),廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上,GaN最初在功率半導體領(lǐng)域的目標據說(shuō)是新能源汽車(chē)市場(chǎng),而非消費電子市場(chǎng)。 “在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,SiC發(fā)展得早,而GaN并不是發(fā)展得不早,只是一開(kāi)始應用在LED上,抑制了GaN的技術(shù)開(kāi)發(fā)演進(jìn)...  [詳內文]

三星,入局八英寸氮化鎵代工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 28 日 17:14 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
在今日舉辦的代工論壇上,三星表示,將從 2025 年起,三星將開(kāi)始針對消費、數據中心和汽車(chē)應用的 8 英寸氮化鎵 (GaN) 功率半導體代工服務(wù)。 隨著(zhù)寬禁帶材料開(kāi)始在功率電子領(lǐng)域取代硅,氮化鎵在消費市場(chǎng)站穩腳跟,這將在今后幾年里帶來(lái)這類(lèi)材料在功率器件市場(chǎng)的大幅增長(cháng),尤其是在中國...  [詳內文]

納微X重力星球,全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器來(lái)了

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 27 日 17:40 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,納微半導體宣布其最新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片獲重力星球最新產(chǎn)品——“狗氮” 65W 變形金剛聯(lián)名款氮化鎵充電器采用。 圖片來(lái)源:納微半導體 該65W充電器配備雙Type-C接口和單Type-A接口,可同時(shí)為三臺不同的設備如筆記本電腦、智能手機、...  [詳內文]

重磅!Wolfspeed公布三件大事

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據外媒報道,以阿波羅全球資產(chǎn)管理公司(Apollo Global Management Inc.)為首的一組投資人,決定以私募融資的方式向Wolfspeed提供最多20億美元的資金,這筆資金主要用來(lái)支持Wolfspeed在美國的擴張。 Source:Wolfspeed 根據彭...  [詳內文]

國星光電:氮化鎵SIP封裝引領(lǐng)驅動(dòng)電源發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 26 日 17:40 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
隨著(zhù)半導體工藝的進(jìn)一步發(fā)展,先進(jìn)封裝成為了下一階段半導體技術(shù)的重要發(fā)展方向。其中,SIP(System in Package)系統級封裝技術(shù)因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗,成為了半導體封裝的關(guān)鍵方案之一。 同時(shí),以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體則因高頻、高能效...  [詳內文]

全球前十大IC設計廠(chǎng)商第一季營(yíng)收持平前季

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:10 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)表示,第一季供應鏈庫存消化不如預期,且適逢傳統淡季,整體需求清淡。 不過(guò),由于部分新品拉動(dòng),加上特殊規格急單帶動(dòng),第一季全球前十大IC設計公司營(yíng)收為338.6億美元,持平去年第四季營(yíng)收,環(huán)比增長(cháng)0.1%。Cirrus Logic(思...  [詳內文]

供貨泉州三安,化合物半導體企業(yè)株洲科能加速I(mǎi)PO進(jìn)程

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 25 日 17:09 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
6月21日,上交所受理了株洲科能新材料股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):株洲科能)科創(chuàng )板上市申請。 招股書(shū)顯示,株洲科能此次IPO擬募資5.88億元,投建于年產(chǎn)500噸半導體高純材料項目及回收項目、稀散金屬先進(jìn)材料研發(fā)中心建設項目,以及補充流動(dòng)資金。 株洲科能長(cháng)期致力于Ⅲ-Ⅴ族化學(xué)元素材料提純...  [詳內文]

18億募資,科創(chuàng )板或將再增一家化合物設備廠(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:40 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月19日,上交所正式受理了拉普拉斯新能源科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):拉普拉斯)科創(chuàng )板上市申請。 拉普拉斯此次IPO擬募資18億元,投建于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發(fā)制造基地項目,以及補充流動(dòng)資金。 2020-2022年(簡(jiǎn)稱(chēng):報告期內),拉普拉斯實(shí)現營(yíng)...  [詳內文]

斯達半導體、同濟大學(xué)等化合物半導體項目獲新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:38 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日,斯達半導體重慶車(chē)規級模塊生產(chǎn)基地項目宣布開(kāi)工,同濟大學(xué)第四代半導體氧化鎵材料項目簽約無(wú)錫高新區。 斯達半導體 6月20日,西部科學(xué)城重慶高新區舉行重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項目集中開(kāi)工活動(dòng),本次開(kāi)工10個(gè)重大項目,總投資185億元, 其中,斯達半導體重慶車(chē)規級模塊生產(chǎn)基地項目總投資4億元,由...  [詳內文]

意法半導體和空客達成合作,SiC和GaN將登上飛機

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 21 日 16:37 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據外媒消息,空客已同意與意法半導體簽署了一項協(xié)議,旨在探索寬禁帶半導體材料對飛機電氣化的好處,雙方將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)適用于空客航空航天應用的SiC和GaN器件、封裝和模塊。 空中客車(chē)首席技術(shù)官Sabine Klauke表示:意法半導體的電力電子專(zhuān)業(yè)知識與空中客車(chē)的飛機和VTOL電氣化...  [詳內文]