文章分類： 氮化鎵GaN

氮化鎵晶圓代工廠BelGaN收到10億元競(jìng)標(biāo)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 26 日 18:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出新進(jìn)展：意向買家已經(jīng)出現(xiàn)。 據(jù)外媒報(bào)道，BelGaN現(xiàn)已收到多項(xiàng)競(jìng)標(biāo)，其中，一家瑞典-芬蘭財(cái)團(tuán)以位于赫爾辛基的7 Semiconductors Oy為名...  [詳內(nèi)文]

AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:43 |
| 分類: 氮化鎵GaN
從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢(shì)，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場(chǎng)的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時(shí)機(jī)。而當(dāng)下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來華麗轉(zhuǎn)身，如今的走向與當(dāng)初看...  [詳內(nèi)文]

TrendForce：SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局與應(yīng)用分析

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 31 日 8:54 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
經(jīng)歷下行周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2024年迎來較為積極的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，AI人工智能以及新能源汽車等驅(qū)動(dòng)之下，半導(dǎo)體需求正逐步提升。 AI運(yùn)行需要大量的計(jì)算資源以進(jìn)行模型訓(xùn)練與推理，這一過程中要用到高性能計(jì)算芯片包括GPU、ASIC、FPGA等，還有HBM等存儲(chǔ)器芯片。 另外，為滿足更高階的...  [詳內(nèi)文]

PI收購(gòu)美國(guó)垂直GaN技術(shù)開發(fā)商Odyssey

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 08 日 17:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近年來，GaN（氮化鎵）技術(shù)得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性，迅速滲透消費(fèi)電子市場(chǎng)，并進(jìn)一步向更高功率的應(yīng)用市場(chǎng)探索。然而，在消費(fèi)電子市場(chǎng)的發(fā)展空間不斷縮小之際，GaN在高壓高功率市場(chǎng)的發(fā)展不如預(yù)期，在此背景下，多家廠商因經(jīng)營(yíng)不佳，相繼選擇調(diào)整業(yè)務(wù)，或并入實(shí)力雄厚的功率...  [詳內(nèi)文]

華為大動(dòng)作，攜手車企成立超充聯(lián)盟

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 25 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體與高倍率動(dòng)力電池的日益成熟，電動(dòng)汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。車企也正加快800V高壓車型的上市步伐，進(jìn)一步提升電動(dòng)車的競(jìng)爭(zhēng)力。 但補(bǔ)能焦慮仍然限制著新能源汽車的廣泛應(yīng)用。在這一背景下，建設(shè)以超充和快充為主的高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施成為一種...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)亞半導(dǎo)體擬分拆8英寸GaN事業(yè)群，或?qū)ⅹ?dú)立上市

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 12 日 18:18 | | 分類: 氮化鎵GaN
自2023年英飛凌收購(gòu)GaN Systems以來，氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)格局便開始發(fā)生變化，在近一年多起出售、并購(gòu)、倒閉案出現(xiàn)之后，市場(chǎng)動(dòng)蕩的局面達(dá)到了一個(gè)新的高點(diǎn)，并且目前仍在發(fā)酵中。近日，又有一家公司宣布擬調(diào)整GaN業(yè)務(wù)，但值得注意的是，此消息背后隱藏著積極的信號(hào)。 臺(tái)亞...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科2023年累計(jì)出貨量超5億顆

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 18 日 18:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2024年已過去一個(gè)半月，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)廠商也相繼公布了過去2023年的發(fā)展成果。2月7日，英諾賽科便公布了2023年在出貨量、新品開發(fā)、技術(shù)研發(fā)、應(yīng)用創(chuàng)新、市場(chǎng)開拓、品質(zhì)保障等取得的成果，各方面表現(xiàn)有些看點(diǎn)。 硅基GaN芯片累計(jì)出貨量超5億顆 從出貨量來看，英諾賽科截至2...  [詳內(nèi)文]

從消費(fèi)電子到新能源汽車，誰在推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 18 日 10:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵功率器件在C端揚(yáng)名，始于手機(jī)充電器——2019年10月，OPPO正式發(fā)布OPPO Reno Ace。這是氮化鎵首次應(yīng)用于手機(jī)原裝快充充電器，而OPPO也成為全球首家在手機(jī)充電器中導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的廠商。 經(jīng)過短短幾年時(shí)間的發(fā)展，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密...  [詳內(nèi)文]

“移族”獲數(shù)千萬元融資，氮化鎵加速進(jìn)入儲(chǔ)能領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 16:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當(dāng)下熱門的技術(shù)，在資本市場(chǎng)備受青睞。 而隨著技術(shù)的成熟，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域早已突破了消費(fèi)電子，向數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展。其中，儲(chǔ)能領(lǐng)域市場(chǎng)廣闊，資...  [詳內(nèi)文]

GaN模塊方案商QPT首輪融資啟動(dòng)，GaN Systems聯(lián)合創(chuàng)始人領(lǐng)投

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN
昨日（12/20），英國(guó)GaN模塊解決方案商Quantum Power Transformation (QPT)宣布在英國(guó)眾籌平臺(tái)Crowdcube啟動(dòng)首輪融資。 值得注意的是，QPT本輪融資由GaN Systems的聯(lián)合創(chuàng)始人Geoff Haynes領(lǐng)投，其剛于10月中旬以顧問...  [詳內(nèi)文]