文章分類(lèi): 氮化鎵GaN

總投資12億元,這個(gè)GaN項目投入使用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
據馬鞍山經(jīng)開(kāi)區消息,7月15日,東科半導體(安徽)股份有限公司新廠(chǎng)區正式揭牌投用。此次投入使用的新廠(chǎng)區占地52畝,新建廠(chǎng)房5.1萬(wàn)平方米,主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線(xiàn)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。 此前公開(kāi)消息顯示,東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目...  [詳內文]

英諾賽科再推兩款GaN器件,在工業(yè)市場(chǎng)挖掘新藍海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近期,為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應用,英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝,體積小巧,且開(kāi)關(guān)損耗低,具有良好的效率表現,目前已成功量...  [詳內文]

鎵、鍺出口管制,半導體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何?

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 15:58 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
7月3日,中國商務(wù)部和海關(guān)總署宣布,為維護國家安全和利益,決定自2023年8月1日起對鎵和鍺相關(guān)物項實(shí)施出口管制。其中,鎵相關(guān)物項包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等8項,鍺相關(guān)物項包括金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅等6項,具體如下兩個(gè)表: 作為新興的戰略關(guān)鍵礦產(chǎn),鎵、鍺均已被列入國家戰...  [詳內文]

中芯國際換帥

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日,中芯國際在港交所發(fā)布公告稱(chēng),高永崗因工作調整,辭任公司董事長(cháng)、執行董事及董事會(huì )提名委員會(huì )主席職務(wù),自2023年7月17日起生效。 公司副董事長(cháng)、執行董事及董事會(huì )提名委員會(huì )委員劉訓峰獲委任為公司董事長(cháng)、執行董事及董事會(huì )提名委員會(huì )主席,自2023年7月17日起生效。 據公告內容...  [詳內文]

不要把800V的高成本妖魔化,這些主機廠(chǎng)和Tier 1正在卷技術(shù)卷規模

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅Tier 1在近兩年陸續發(fā)布了許多800V新品。 在這個(gè)過(guò)程中,整個(gè)行業(yè)提出了幾大問(wèn)題:800V電驅該怎么降本,面臨著(zhù)哪些技術(shù)挑戰?外資Tier 1能否在800V時(shí)代超車(chē)? 為什么800V? 800V的興起源于對超快充...  [詳內文]

金剛石基GaN問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:57 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能,而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應用。金剛石,已被認為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導體材料之一。 美國國防...  [詳內文]

國內首款大功率藍光激光器芯片亮相上海慕尼黑光電展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 13 日 13:56 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
颶芯科技于7月11至7月13日,亮相上海慕尼黑光電展(展位號 8.1A320)。激光二極管系列產(chǎn)品涵蓋紫光(405nm)、藍光(450nm)、綠光(505nm)、紅光(650nm)等可見(jiàn)光波長(cháng)范圍,并為客戶(hù)提供TO56、TO9、COS等靈活的產(chǎn)品封裝形式。 颶芯科技(hur...  [詳內文]

又一GaN研究院成立

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 29 日 17:39 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
6月26日,由西安電子科技大學(xué)廣州研究院(簡(jiǎn)稱(chēng)西電廣研院)與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd(簡(jiǎn)稱(chēng)ICCT)合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”,在廣東-新加坡合作理事會(huì )第十三次會(huì )議上成功簽約。 據悉,該研究中心圍繞第三代半導...  [詳內文]

氮化鎵功率芯片廠(chǎng)商元芯半導體獲融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 29 日 17:38 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
據消息,杭州元芯半導體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“元芯半導體”)已經(jīng)于近日獲得數千萬(wàn)元天使+輪融資,由同創(chuàng )偉業(yè)領(lǐng)投,浙大校友基金會(huì )藕舫天使基金跟投。本次融資資金將主要用于核心產(chǎn)品研發(fā)和拓展產(chǎn)品線(xiàn),以及技術(shù)和運營(yíng)團隊建設。 元芯半導體成立于2022年,以第三代半導體器件和系統為核心,致...  [詳內文]