文章分類(lèi): 氮化鎵GaN

中鎵半導體聯(lián)合北京大學(xué)在GaN襯底研發(fā)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,中鎵半導體與北京大學(xué)、波蘭國家高壓實(shí)驗室開(kāi)展了合作,使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實(shí)驗使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底,并對制備得到的GaN材料進(jìn)行了表征,證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現有報道的半絕...  [詳內文]

長(cháng)光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
11月29日,蘇州半導體激光創(chuàng )新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗室”在蘇州長(cháng)光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導體中具有代表性的材料體系,氮化鎵藍綠光激光器未來(lái)在激光顯示、有色金屬加工等諸多領(lǐng)域都有巨大的應用優(yōu)勢以及不可替代的作用?;诘壍乃{綠光激光器是第三...  [詳內文]

國際GaN器件廠(chǎng)Transphorm在深圳設立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
納微半導體之后,美國GaN FETs高壓電源轉換產(chǎn)品供應商Transphorm也在深圳設立了辦事處,全球GaN器件廠(chǎng)商在中國市場(chǎng)的角逐日趨激烈。 昨(1)日,Transphorm宣布,已在中國深圳開(kāi)設辦事處/GaN應用實(shí)驗室,深圳辦事處的團隊將負責提升本土客戶(hù)支持、銷(xiāo)售及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)...  [詳內文]

化合物半導體企業(yè)固立得獲5000萬(wàn)元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:36 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日,江蘇固立得精密光電有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“固立得”)宣布獲得5000萬(wàn)元A+輪融資。 據悉,本輪融資由福滿(mǎn)鑫資本、鑫濤資本領(lǐng)投,常州本土知名投資 人和企業(yè)家跟投。融資資金將用于芯片產(chǎn)能的擴大,以滿(mǎn)足更大的市場(chǎng)需求。 資料顯示,固立得成立于2005年,是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代化合物(...  [詳內文]