SiC企業(yè)凌銳半導體推出新一代1200V SiC MOS

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 20 日 18:48 | 分類(lèi) 功率

10月18日,凌銳半導體(上海)有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“凌銳半導體”)官方公眾號發(fā)文宣布,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。

據介紹,該產(chǎn)品具備開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅動(dòng)的特點(diǎn),能夠滿(mǎn)足高可靠性、高性能的應用需求。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫

目前凌銳1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS已達量產(chǎn)階段,并在Q4實(shí)現客戶(hù)端批量交貨。

同時(shí),公司正積極布局研發(fā)下一代更高性能的產(chǎn)品。

凌銳半導體專(zhuān)注第三代半導體SiC車(chē)規級芯片研發(fā)與銷(xiāo)售,公司自創(chuàng )立起,精準定位高端車(chē)規級MOSFET,對標國際一線(xiàn)大廠(chǎng)產(chǎn)品,并與產(chǎn)業(yè)鏈上下游建立了深度合作,目前有多款產(chǎn)品通過(guò)核心客戶(hù)測試驗證,并已獲得多家同行業(yè)上市公司的戰略入股。(文:集邦化合物半導體Morty整理)

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