穩懋半導體推出全新RF GaN技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分類(lèi) 企業(yè)

6月14日,純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測試版NP12-0B平臺。

據介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),該技術(shù)結合了多項改進(jìn),以增強直流和射頻的耐用性,并增加芯片級防潮性。NP12-0B集成了多項晶體管改進(jìn),在深度飽和/高壓縮脈沖和連續波條件下運行時(shí)具備高耐用性。

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這種新的耐用技術(shù)通過(guò)消除在GaN HEMT功率放大器中觀(guān)察到的脈沖下降現象,從而提高了脈沖模式雷達系統的范圍和靈敏度。此外,NP12-0B還提供增強型防潮性選項,在塑料封裝中使用時(shí)具有出色的耐濕性。

NP12-0B平臺支持全MMIC,允許客戶(hù)開(kāi)發(fā)適用于50GHz以下應用的緊湊型脈沖或CW飽和功率放大器。該工藝適用于28V工作電壓,在29GHz頻段可產(chǎn)生4.5 W/mm的飽和輸出功率,線(xiàn)性增益為12 dB,功率附加效率超過(guò)40%。NP12-0B技術(shù)非常適合用于先進(jìn)雷達系統的堅固型脈沖模式高功率放大器。

NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成,并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。(集邦化合物半導體Morty編譯)

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