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PI收購美國垂直GaN技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 08 日 17:27 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近年來(lái),GaN(氮化鎵)技術(shù)得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性,迅速滲透消費電子市場(chǎng),并進(jìn)一步向更高功率的應用市場(chǎng)探索。然而,在消費電子市場(chǎng)的發(fā)展空間不斷縮小之際,GaN在高壓高功率市場(chǎng)的發(fā)展不如預期,在此背景下,多家廠(chǎng)商因經(jīng)營(yíng)不佳,相繼選擇調整業(yè)務(wù),或并入實(shí)力雄厚的功率...  [詳內文]

PI、南瑞半導體透露SiC MOS項目新進(jìn)展

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分類(lèi) 企業(yè)
因搭載高壓平臺的電動(dòng)汽車(chē)在補能、續航等方面的表現出色,可以大幅提高客戶(hù)的使用體驗,大有成為主流之勢。而SiC MOSFET在高壓車(chē)載領(lǐng)域的良好表現,受到市場(chǎng)的追捧,新規格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領(lǐng)域來(lái)看,又有兩家企業(yè)有了新動(dòng)態(tài)。 Powe...  [詳內文]