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電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:55 | 分類(lèi) 功率
第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是第三代半導體發(fā)展的重要方向。 據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基...  [詳內文]