第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高等特性，在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)，是第三代半導(dǎo)體發(fā)展的重要方向。 據(jù)中電材料官微消息，近日，電科材料下屬國(guó)盛公司研發(fā)的硅基...  [詳內(nèi)文]