電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:55 | 分類(lèi) 功率

第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是第三代半導體發(fā)展的重要方向。

據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片完成客戶(hù)交付。

資料顯示,國盛公司前身為中電科55所材料研究室外延組,一直致力于高性能半導體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)服務(wù)。公司主營(yíng)硅基、碳化硅基外延片業(yè)務(wù),產(chǎn)品廣泛用于集成電路芯片和半導體分立器件。

2023年11月,國盛公司旗下南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目正式投產(chǎn)。據悉,該項目一期投資19.3億元,項目達產(chǎn)后,預估新增年收入25億元,將形成8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片/年,6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。

圖片source:南京江寧技術(shù)開(kāi)發(fā)區

2023年12月,國盛公司第一枚碳化硅外延產(chǎn)品誕生。

同月,國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延產(chǎn)品正式下線(xiàn)。

中電材料指出,自項目投產(chǎn)以來(lái),大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實(shí)現客戶(hù)交付,硅基氮化鎵外延材料順利下線(xiàn),標志著(zhù)國盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。如今,國盛公司硅基氮化鎵外延片成功交付顧客,進(jìn)入產(chǎn)品試樣驗證階段,為其未來(lái)發(fā)展奠定了基礎。(集邦化合物半導體Morty整理)

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