Tag Archives: 英諾賽科

EPC四項涉訴專(zhuān)利均已進(jìn)入無(wú)效審查階段,英諾賽科掌握主動(dòng)權

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類(lèi) 企業(yè)
近年來(lái),第三代半導體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的快速發(fā)展,吸引了全球科技巨頭的關(guān)注與競爭。在這場(chǎng)技術(shù)革命中,中國領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與美國知名企業(yè)宜普(EPC)之間的專(zhuān)利糾紛成為業(yè)界焦點(diǎn)。 對此,英諾賽科發(fā)表聲明稱(chēng),目前針對EPC的四項涉訴專(zhuān)利提起的IPR(Inter part...  [詳內文]

17家中國三代半企業(yè)“征戰”P(pán)CIM Europe 2024

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:51 | 分類(lèi) 展會(huì )
全球電力電子行業(yè)的頂級展會(huì )PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開(kāi),此次參展的中國企業(yè)(含港澳臺)數量達到了142家,其中不少企業(yè)在第三代半導體領(lǐng)域有所布局。在本屆PCIM上,中外多家企業(yè)向世界展示了SiC/GaN在電子電力領(lǐng)域的最新技術(shù)及應用。 國內企業(yè) 本屆PCI...  [詳內文]

計劃7倍擴產(chǎn),英諾賽科開(kāi)啟港股IPO

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 13 日 19:14 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。 2023年營(yíng)收增長(cháng)335.2% 自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應用于充電器以來(lái),基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導電性和散熱...  [詳內文]

英諾賽科、CGD推出多款GaN新品

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 04 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
近期,GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續上漲,技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項目建設、融資并購、廠(chǎng)商合作等各類(lèi)動(dòng)態(tài)讓人目不暇接,而在近日,英諾賽科、CGD兩家廠(chǎng)商接連發(fā)布了多款GaN新品,在一定程度上顯示了終端應用需求正在持續增長(cháng)。 英諾賽科發(fā)布三款GaN驅動(dòng)器產(chǎn)品 5月30日,據英諾賽科官微消息,其宣布...  [詳內文]

英諾賽科發(fā)布700V GaN合封系列新品

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 16 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
5月16日,據英諾賽科官微消息,其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。據英諾賽科介紹,該系列新品針對消費電子領(lǐng)域定制開(kāi)發(fā),具備超高集成度,支持45W/60W/100W/140W等手機、平板、筆記本快充應用。 source:英諾賽科 據介紹,該系列產(chǎn)品集成了7...  [詳內文]

助力碳中和,GaN加深綠色能源領(lǐng)域滲透

作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 18 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
自2018年10月25日,MU發(fā)布全球首款GaN充電器,將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來(lái),短短幾年間,各大GaN廠(chǎng)商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當前,GaN消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)已是一片紅海,競爭日趨激烈。 面對GaN在消費電子領(lǐng)域應用現狀,相關(guān)企業(yè)開(kāi)始尋求新的增量市場(chǎng),GaN技術(shù)應用由此逐步向...  [詳內文]

英諾賽科擬赴港上市

作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類(lèi) 企業(yè)
3月5日,據《路透社》旗下IFR報道,英諾賽科正計劃最早于今年內,在香港進(jìn)行IPO,融資規模約3億美元。 消息還指出,英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進(jìn)行合作。 據悉,英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而...  [詳內文]

英諾賽科2023年累計出貨量超5億顆

作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 18 日 18:06 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
2024年已過(guò)去一個(gè)半月,第三代半導體領(lǐng)域相關(guān)廠(chǎng)商也相繼公布了過(guò)去2023年的發(fā)展成果。2月7日,英諾賽科便公布了2023年在出貨量、新品開(kāi)發(fā)、技術(shù)研發(fā)、應用創(chuàng )新、市場(chǎng)開(kāi)拓、品質(zhì)保障等取得的成果,各方面表現有些看點(diǎn)。 硅基GaN芯片累計出貨量超5億顆 從出貨量來(lái)看,英諾賽科截至2...  [詳內文]

融資貸款13億,英諾賽科正式啟用全球研發(fā)中心

作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 21 日 17:35 | 分類(lèi) 企業(yè)
作為全球GaN賽道重量級選手,英諾賽科的一舉一動(dòng)自然都是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。 11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用,未來(lái)將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地,同時(shí)開(kāi)展大規模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究,全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。 誠如英諾賽科(蘇州)科技股份有...  [詳內文]

損耗降低50%,英諾賽科發(fā)布全鏈路InnoGaN數據中心方案

作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分類(lèi) 企業(yè)
10月8日,英諾賽科官方公眾號發(fā)文表稱(chēng),數據中心采用全鏈路GaN設計方案,能夠提高能源轉換效率,將系統損耗降低50%。 據悉,英諾賽科從前端PSU電源到主板DC/DC模塊,以及芯片的直接供電方面,都提供了GaN方案。 前端PSU電源方面,英諾賽科推出 2kW PSU參考設計,采用...  [詳內文]