涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達成合作

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類(lèi) 功率

6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導體供應。根據該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導體創(chuàng )新和制造的長(cháng)期戰略進(jìn)行合作,雙方共同目標是推進(jìn)美國國內芯片制造和封裝生態(tài)系統,主要針對航空航天和國防系統的安全芯片及解決方案。

兩家公司將參與新興技術(shù)的長(cháng)期規劃,并在一系列領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)合作,涵蓋先進(jìn)半導體封裝和集成、硅基氮化鎵(GaN-on-Si)、硅光子學(xué)和先進(jìn)技術(shù)工藝開(kāi)發(fā)。

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據介紹,這項非獨家性新合作建立在BAE Systems公司與格芯長(cháng)期合作關(guān)系的基礎上,進(jìn)一步匯集了BAE Systems在關(guān)鍵國防系統微電子領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù),以及格芯作為領(lǐng)先的大批量半導體制造商和美國國防部安全重要芯片先進(jìn)供應商的專(zhuān)業(yè)技術(shù)。

值得注意的是,因美國芯片和科學(xué)法案,BAE Systems和格芯近期都收到了美國政府直接資助。(集邦化合物半導體Morty編譯)

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