涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類 功率

6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強(qiáng)美國國家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進(jìn)行合作,雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng),主要針對航空航天和國防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。

兩家公司將參與新興技術(shù)的長期規(guī)劃,并在一系列領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)合作,涵蓋先進(jìn)半導(dǎo)體封裝和集成、硅基氮化鎵(GaN-on-Si)、硅光子學(xué)和先進(jìn)技術(shù)工藝開發(fā)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)介紹,這項(xiàng)非獨(dú)家性新合作建立在BAE Systems公司與格芯長期合作關(guān)系的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步匯集了BAE Systems在關(guān)鍵國防系統(tǒng)微電子領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù),以及格芯作為領(lǐng)先的大批量半導(dǎo)體制造商和美國國防部安全重要芯片先進(jìn)供應(yīng)商的專業(yè)技術(shù)。

值得注意的是,因美國芯片和科學(xué)法案,BAE Systems和格芯近期都收到了美國政府直接資助。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)

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