120億+15億,國內2個(gè)8英寸碳化硅項目迎來(lái)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分類(lèi) 功率

近日,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目在海滄正式開(kāi)工。

該項目總投資120億元,建設一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn),建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

該項目分兩期建設,其中,一期項目總投資70億元,新增8英寸SiC芯片3.5萬(wàn)片/月的生產(chǎn)能力,二期投資規模約50億元,新增8英寸SiC芯片2.5萬(wàn)片/月的生產(chǎn)能力。

據“今日海滄”介紹,該項目一期預計2025年三季度末初步通線(xiàn),2025年四季度試生產(chǎn),達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片

據悉,項目建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力,較好滿(mǎn)足國內新能源汽車(chē)所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫

當前,盡管市場(chǎng)上的SiC尺寸仍以6英寸為主,但國內廠(chǎng)商都在積極布局8英寸。無(wú)獨有偶,國內另一個(gè)8英寸碳化硅項目也于近日迎來(lái)新的進(jìn)展,即中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。

2023年,南砂晶圓在山東濟南成立山東中晶芯源半導體科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“中晶芯源”),建設8英寸碳化硅北方基地。根據規劃,該項目總投資額15億元,將建設一個(gè)8英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)基地,預計2025年實(shí)現滿(mǎn)產(chǎn)達產(chǎn)。

今年3月,南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩表示,該公司正在積極擴產(chǎn)濟南廠(chǎng)區,計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地,計劃于2025年實(shí)現滿(mǎn)產(chǎn)達產(chǎn)。

除上述兩家廠(chǎng)商外,國內不少企業(yè)都在加速布局8英寸碳化硅賽道,如三安光電、天科合達、天岳先進(jìn)、芯聯(lián)集成、青禾晶元、合盛硅業(yè)、乾晶半導體、同光股份、科友半導體等。

其中,青禾晶元于今年4月宣布,成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。同時(shí),芯聯(lián)集成的8英寸SiC工程批已順利下線(xiàn)、科友半導體也正在與俄羅斯N公司開(kāi)展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。(文:全球半導體觀(guān)察)

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