啟方半導體計劃年內完成開(kāi)發(fā)650V GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分類(lèi) 企業(yè)

據外媒報道,6月19日,韓國8英寸純晶圓代工廠(chǎng)SK Key Foundry(啟方半導體)宣布,公司已確認650伏氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的特性,正加大開(kāi)發(fā)力度,預計年內完成開(kāi)發(fā)。

因GaN具有高速開(kāi)關(guān)和低電阻特性,它被稱(chēng)為下一代功率半導體,比現有的硅(Si)基半導體具有更低的損耗、更高的效率和小型化。其主要應用于電源、混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等。

SK Key Foundry計劃為現有的功率半導體用戶(hù)推廣650V GaN HEMT,同時(shí)發(fā)掘新客戶(hù)。此外,該公司還計劃增加一個(gè)GaN產(chǎn)品組合,為GaN HEMT和GaN IC提供各種電壓。

SK Key Foundry首席執行官Lee Dong-jae表示:“除了具有競爭力的高壓BCD之外,我們還在為下一代功率半導體做準備。未來(lái),我們還將擴大功率半導體產(chǎn)品組合,除了GaN還有SiC,將自己打造成一家專(zhuān)業(yè)的功率半導體代工廠(chǎng)?!保罨衔锇雽wMorty編譯)

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