Tag Archives: 氮化鎵

25億,萬(wàn)年晶第三代半導體項目已投產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 22 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
7月19日,據“上饒市人民政府發(fā)布”官微消息,今年二季度,投資25億元的萬(wàn)年晶第三代半導體項目已正式投產(chǎn)。據悉,萬(wàn)年晶半導體是江西首家藍寶石基功率器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售廠(chǎng)商,主營(yíng)第三代半導體高電子遷移率晶體管芯片,可廣泛應用于數據中心、儲能、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。 source:上饒...  [詳內文]

3家碳化硅設備廠(chǎng)商齊傳訂單喜訊

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 17 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
近期,碳化硅設備賽道格外熱鬧,愛(ài)思強、Aehr、優(yōu)睿譜、硅酷科技4家碳化硅設備廠(chǎng)商相繼傳出利好消息,顯示了碳化硅設備產(chǎn)業(yè)的生機與活力。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫 碳化硅設備廠(chǎng)商好戲連臺 7月16日,愛(ài)思強宣布安世半導體訂購了愛(ài)思強用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設備,安...  [詳內文]

EPC四項涉訴專(zhuān)利均已進(jìn)入無(wú)效審查階段,英諾賽科掌握主動(dòng)權

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類(lèi) 企業(yè)
近年來(lái),第三代半導體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的快速發(fā)展,吸引了全球科技巨頭的關(guān)注與競爭。在這場(chǎng)技術(shù)革命中,中國領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與美國知名企業(yè)宜普(EPC)之間的專(zhuān)利糾紛成為業(yè)界焦點(diǎn)。 對此,英諾賽科發(fā)表聲明稱(chēng),目前針對EPC的四項涉訴專(zhuān)利提起的IPR(Inter part...  [詳內文]

愛(ài)思強公布Q2初步業(yè)績(jì),碳化硅&氮化鎵設備訂單旺盛

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 05 日 18:21 | 分類(lèi) 功率
昨日(7/4),德國半導體設備大廠(chǎng)AIXTRON愛(ài)思強公布2024年第二季度初步業(yè)績(jì)成果。在SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)功率半導體市場(chǎng)的驅動(dòng)下,愛(ài)思強設備訂單報喜。 愛(ài)思強第二季SiC/GaN設備訂單占比達87% 第二季度,愛(ài)思強實(shí)現訂單總額1.76歐元(約合人民幣13.8...  [詳內文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:55 | 分類(lèi) 功率
第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是第三代半導體發(fā)展的重要方向。 據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基...  [詳內文]

計劃7倍擴產(chǎn),英諾賽科開(kāi)啟港股IPO

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 13 日 19:14 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。 2023年營(yíng)收增長(cháng)335.2% 自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應用于充電器以來(lái),基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導電性和散熱...  [詳內文]

一周內2家撤單!SiC/GaN企業(yè)IPO現狀解讀

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 12 日 16:04 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
IPO向來(lái)是企業(yè)獲得融資、提升品牌知名度的一大有效途徑,但這一途徑卻并非一路坦途。集邦化合物半導體發(fā)現,僅在上周,便有兩家第三代半導體相關(guān)企業(yè)撤回IPO申請。 一周兩家三代半企業(yè)終止IPO 6月3日至6月9日,滬、深、北三大交易所共有20家擬IPO企業(yè)宣布終止審核,單周終止審核數...  [詳內文]

合肥項目“快進(jìn)”,設備企業(yè)一塔半導體獲融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 07 日 17:51 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
6月5日,根據一塔半導體官方消息,公司近日順利完成數千萬(wàn)Pre-A輪融資,投資方為合肥海恒科創(chuàng )產(chǎn)投基金及相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資人。 據悉,一塔半導體(ETA-Semitech)致力于半導體制程設備的研發(fā),目前已成功研發(fā)外延系統(MOCVD)和退火系統(激光退火/RTP),擁有SiC/GaN...  [詳內文]

安徽六安大力推進(jìn)氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)基地建設

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 04 日 10:08 | 分類(lèi) 功率
安徽六安市半導體產(chǎn)業(yè)在芯片制造與測試、器件制造、化學(xué)材料等領(lǐng)域已陸續開(kāi)展布局,以格恩半導體為核心的氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展勢頭良好。全市現有半導體產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)3家,半導體在建項目10個(gè)、總投資71.15億元;產(chǎn)業(yè)鏈下游終端應用電子信息企業(yè)115家,項目28個(gè)、總投資319.28億...  [詳內文]

拆分+上市,臺亞半導體強化8英寸GaN布局

作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 29 日 18:04 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
5月28日,臺亞半導體舉行股東會(huì )。會(huì )議通過(guò)了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割的計劃。據悉,該計劃于4月11日提出,此次獲得通過(guò),是臺亞半導體對第三代到半導體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步布局。 據了解,臺亞半導體原名光磊,起步于光電產(chǎn)業(yè)感測元件市場(chǎng)。近年來(lái)臺亞半導體積極進(jìn)行轉型策略,并于2021...  [詳內文]