瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

作為一家聚焦于SiC半導體領(lǐng)域的芯片廠(chǎng)商,瞻芯電子致力于開(kāi)發(fā)SiC功率器件、驅動(dòng)和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品,并圍繞SiC功率半導體應用,為客戶(hù)提供一站式芯片解決方案。

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據悉,瞻芯電子在國內較早自主開(kāi)發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺,并持續進(jìn)行升級迭代。

依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線(xiàn),瞻芯電子開(kāi)發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z(1200V 40mΩ SiC MOSFET)于2023年8月獲得了車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)認證證書(shū),而且通過(guò)了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導入測試,開(kāi)啟了量產(chǎn)交付。

瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡(jiǎn)化應用系統設計。在產(chǎn)品結構上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計,使器件比導通電阻降低約25%,并顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗,提升系統效率。

而在近日,瞻芯電子基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過(guò)了車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證;同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺已正式量產(chǎn)。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,現有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品,主要用于車(chē)載電驅動(dòng)系統,已獲得多家車(chē)載電驅動(dòng)客戶(hù)的項目定點(diǎn)。

其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET,相比第二代工藝,元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。核心指標方面,第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下,將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2,同時(shí),第三代產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗對比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。

在可靠性方面,首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證,獲得車(chē)規級可靠性認證證書(shū),而且通過(guò)了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括動(dòng)態(tài)可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),柵極負偏壓下的HTRB等。(集邦化合物半導體Zac整理)

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