Tag Archives: 氧化鎵

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)發(fā)布了公司首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項(xiàng)需求,還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù),是鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導(dǎo)體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目主體封頂

作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月17日,據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息,福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:晶旭半導(dǎo)體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開工建設(shè)。目前,項(xiàng)目主體已經(jīng)全部封頂,預(yù)計(jì)年底之前具備設(shè)備模擬的條件。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 該項(xiàng)目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢(shì)之下,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時(shí),第四代半導(dǎo)體也在蓄勢(shì)待發(fā),其中,氧化鎵(Ga2O3)基于其性能與成本優(yōu)勢(shì),有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報(bào)道,鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作,雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投,普華資本共同投資。公司天使輪投資機(jī)構(gòu)藍(lán)馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source:鎵仁半導(dǎo)體 鎵仁半導(dǎo)體表示,本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

日本團(tuán)隊(duì)不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,氧化鎵具備大禁帶寬度(4.8eV)、高臨界擊穿場強(qiáng)(8MV/cm)和良好的導(dǎo)通特性,與碳化硅和氮化鎵相比,氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì),且導(dǎo)通電阻更低,損耗更小。 目前,中國、日本、韓國等國的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問世

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日,韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布,公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵(Ga2O3)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。 source:Siegtronics 據(jù)悉,氧化鎵是一種寬帶隙(WBG)材料,與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,據(jù)稱為目前國際上已報(bào)導(dǎo)的最大尺寸。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹,在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵,鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日,據(jù)蘇州納米城官微消息,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體)近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱邁姆思)于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實(shí)現(xiàn)新突破

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據(jù)北京順義消息,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”)在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破,已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示,半絕緣型(010)鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]