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士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 16:55 | 分類(lèi) 功率
據廈門(mén)廣電網(wǎng)消息,6月18日上午,士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)在海滄區開(kāi)工。 source:士蘭微 該項目總投資120億元,分兩期建設,兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)后將成為國內第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權、產(chǎn)能規模最...  [詳內文]

17家中國三代半企業(yè)“征戰”P(pán)CIM Europe 2024

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:51 | 分類(lèi) 展會(huì )
全球電力電子行業(yè)的頂級展會(huì )PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開(kāi),此次參展的中國企業(yè)(含港澳臺)數量達到了142家,其中不少企業(yè)在第三代半導體領(lǐng)域有所布局。在本屆PCIM上,中外多家企業(yè)向世界展示了SiC/GaN在電子電力領(lǐng)域的最新技術(shù)及應用。 國內企業(yè) 本屆PCI...  [詳內文]

穩懋半導體推出全新RF GaN技術(shù)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月14日,純化合物半導體代工廠(chǎng)穩懋半導體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測試版NP12-0B平臺。 據介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),...  [詳內文]

立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項目正式開(kāi)工

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:14 | 分類(lèi) 射頻
據平湖新埭官微消息,6月12日,立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項目在張江長(cháng)三角科技城平湖園正式開(kāi)工。 source:平湖新埭 據介紹,立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項目位于張江長(cháng)三角科技城平湖園,建設用地約30畝,總投資2億元人民幣,總用地面積20012.9平方米,總建筑面...  [詳內文]

比亞迪新建碳化硅工廠(chǎng)預計今年下半年投產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:12 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日,比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國汽車(chē)重慶論壇上表示,比亞迪新建碳化硅工廠(chǎng)將成為行業(yè)最大的工廠(chǎng),該工廠(chǎng)將于今年下半年投產(chǎn),產(chǎn)能規模是全球第一,是第二名的10倍。 據了解,今年下半年起,比亞迪20萬(wàn)左右的車(chē)型也將搭載應用碳化硅的智能化方案,從而實(shí)現智能駕駛等更大范圍的搭載應...  [詳內文]

華為系銷(xiāo)售占比達36.08%,高裕電子啟動(dòng)北交所IPO

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 18:41 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
隨著(zhù)北交所IPO審核重啟,多家新三板公司接連啟動(dòng)上市輔導進(jìn)軍北交所,其中就包括了杭州高裕電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):高裕電子)。 根據高裕電子6月13日發(fā)布的公告,公司已于6月11日與民生證券簽署了上市輔導協(xié)議,并在6月12日通過(guò)民生證券提交了向不特定合格投資者公開(kāi)發(fā)行股票并...  [詳內文]

英飛凌8英寸SiC晶圓廠(chǎng)一期工程完工

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:59 | 分類(lèi) 企業(yè)
據外媒報道,近日,英飛凌完成了位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅(SiC)晶圓廠(chǎng)第一階段建設。 source:英飛凌 英飛凌計劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠(chǎng)區,并于2024年底開(kāi)始生產(chǎn)SiC。據了解,該晶圓廠(chǎng)總投資為70億歐元,其也是馬來(lái)西亞政府1000億美元計劃的核心...  [詳內文]

國創(chuàng )中心與長(cháng)城汽車(chē)成立車(chē)規級芯片聯(lián)合實(shí)驗室

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:58 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日,國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國創(chuàng )中心”)與長(cháng)城汽車(chē)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)城汽車(chē)”)共同揭牌成立“車(chē)規級芯片聯(lián)合實(shí)驗室”,又一車(chē)規級芯片聯(lián)合實(shí)驗室落地北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區(北京亦莊)。 “此次聯(lián)合實(shí)驗室的成立,是國創(chuàng )中心與長(cháng)城汽車(chē)在車(chē)規級芯片領(lǐng)域深化合作的重要標志...  [詳內文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 14 日 17:55 | 分類(lèi) 功率
第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是第三代半導體發(fā)展的重要方向。 據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基...  [詳內文]

計劃7倍擴產(chǎn),英諾賽科開(kāi)啟港股IPO

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 13 日 19:14 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。 2023年營(yíng)收增長(cháng)335.2% 自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應用于充電器以來(lái),基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導電性和散熱...  [詳內文]