SiC產(chǎn)業(yè)持續升溫:年末一波小高潮

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 22 日 18:05 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)

2023年底至2024年初,當人們歡天喜地迎新春之際,SiC產(chǎn)業(yè)同樣一片火熱,擴產(chǎn)、合作、融資、技術(shù)突破、新品發(fā)布等各種好戲輪番上演,共促SiC全產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃發(fā)展。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫

SiC項目進(jìn)展

1月18日,浙江博藍特半導體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)博藍特)在實(shí)地考察中,與江蘇鎮江丹陽(yáng)市延陵鎮就博藍特第三代半導體碳化硅(SiC)襯底項目落地延陵鎮進(jìn)行了深度洽談,博藍特計劃在延陵鎮投資10億元建設年產(chǎn)25萬(wàn)片的6-8英寸碳化硅襯底項目。

一個(gè)投資10億元、年產(chǎn)數十萬(wàn)片SiC襯底的大項目將落地延陵鎮,將為當地經(jīng)濟發(fā)展注入新的活力,也將為國內SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動(dòng)力。

目前業(yè)內普遍認為,SiC襯底處于供不應求狀態(tài),年產(chǎn)數十萬(wàn)片SiC襯底產(chǎn)能將在一定程度上緩解相關(guān)產(chǎn)品供需緊張狀態(tài)。也正是因為SiC襯底、芯片等產(chǎn)能不足,吸引了大批廠(chǎng)商前赴后繼加入擴產(chǎn)行列。

僅從2023年12月初到2024年1月中旬的一個(gè)多月時(shí)間,就有十多個(gè)SiC相關(guān)項目迎來(lái)新進(jìn)展,或簽約落地、或中期驗收、或竣工投產(chǎn),各大廠(chǎng)商忙的不亦樂(lè )乎,這些項目當中,不乏投資超過(guò)10億甚至數十億的大手筆。

其中,大江半導體新建SiC項目近日在浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示,總投資達38億元,項目建成后,具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬(wàn)個(gè)的產(chǎn)能。較高的投資額和較大的產(chǎn)能,使得該項目在業(yè)內引發(fā)廣泛關(guān)注。

此外,投資額同為15億元,吉盛微武漢SiC制造基地于12月8日啟用,漢軒車(chē)規級功率器件制造項目在12月18日開(kāi)工,前者將致力于推進(jìn)關(guān)鍵半導體設備的國產(chǎn)化,后者則將推動(dòng)車(chē)規級功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程。

值得一提的是,12月28日,天科合達SiC晶片二期擴產(chǎn)項目全面封頂。該項目總投資8.3億元,預計2024年6月竣工,全部達產(chǎn)后年產(chǎn)SiC襯底16萬(wàn)片。

2023年5月,天科合達已與英飛凌簽訂了一份長(cháng)期供貨協(xié)議,天科合達將為英飛凌供應用于生產(chǎn)SiC半導體的6英寸SiC襯底,其供應量將占英飛凌未來(lái)長(cháng)期預測需求的兩位數份額。英飛凌位于馬來(lái)西亞的SiC工廠(chǎng)計劃于2024年投產(chǎn),屆時(shí),天科合達已竣工的SiC二期擴產(chǎn)項目將在一定程度上保障英飛凌工廠(chǎng)的SiC襯底供應。

SiC新品動(dòng)態(tài)

擴產(chǎn)是為了滿(mǎn)足SiC產(chǎn)業(yè)未來(lái)市場(chǎng)需求所進(jìn)行的前瞻性布局,需要時(shí)間去產(chǎn)出碩果,在投資擴產(chǎn)的同時(shí),各類(lèi)SiC新品層出不窮。

其中,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝SiC MOSFET器件、南瑞半導體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件(NCM40S12T4K2)都已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證。通過(guò)該認證,芯塔電子和南瑞半導體躋身國內少數SiC功率器件產(chǎn)品取得車(chē)規級認證的廠(chǎng)商之列,也意味著(zhù)相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力再上一個(gè)臺階。

值得一提的是,日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出新型SiC切割設備DDS2020,支持切割8英寸SiC材料,可將SiC晶圓的切割速度提高10倍,首批產(chǎn)品已交付客戶(hù)。該晶圓切割設備采用了新的斷裂機制,在低負荷下實(shí)現了對SiC材料的切割。

SiC技術(shù)突破

技術(shù)和產(chǎn)品相生相伴,產(chǎn)品研發(fā)的進(jìn)程,也是技術(shù)突破的過(guò)程。

12月12日,創(chuàng )銳光譜官宣在SiC襯底晶圓位錯缺陷的無(wú)損光學(xué)檢測技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無(wú)損檢測專(zhuān)用設備。據悉,該技術(shù)基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理,采用大面積光學(xué)成像,實(shí)現了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無(wú)損光學(xué)檢測。結合AI識別,可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實(shí)現精準的識別和分類(lèi)。

通用智能則在12月16日將自主研發(fā)的8英寸SiC晶錠剝離產(chǎn)線(xiàn)正式交付客戶(hù)。通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過(guò)程,成功實(shí)現8英寸SiC晶錠剝離設備的量產(chǎn)。

據悉,激光隱形切割是一種先用激光能量切割晶圓的內部,再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力,使其斷裂,從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時(shí),由于膠帶的拉伸,晶圓將會(huì )瞬間向上隆起,從而使芯片分離。相對傳統的激光切割法,SD的優(yōu)點(diǎn)包括:沒(méi)有硅碎屑;切口窄,可以獲得更多芯片;此外,使用SD方法剝落和裂紋現象也將減少,提高了晶圓切割整體質(zhì)量。

SiC融資風(fēng)云

無(wú)論是開(kāi)發(fā)出契合市場(chǎng)與用戶(hù)需求的好產(chǎn)品,還是取得重大技術(shù)突破,都有機會(huì )成為資本市場(chǎng)的寵兒。近期,優(yōu)質(zhì)廠(chǎng)商的融資也是持續不斷。

眾多廠(chǎng)商當中,德智新材、超芯星、清純半導體均在12月完成了數億元融資,成為融資能力方面的佼佼者。

其中,超芯星是一家成立于2019年4月的初創(chuàng )企業(yè),但已成長(cháng)為國內極少數具備國際競爭力的SiC襯底供應商,擁有多種技術(shù)路線(xiàn),在核心裝備、智能制造、生長(cháng)工藝、加工技術(shù)、產(chǎn)品檢測、模擬仿真等方向擁有先進(jìn)的核心技術(shù)。得益于此,超芯星成立至今已完成5輪融資。

而成立于2021年3月的清純半導體已完成4輪融資,是目前國內極少數能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、基于國內產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)車(chē)規級SiC MOSFET的企業(yè)。

SiC合作共贏(yíng)

強強聯(lián)合使雙方具備更多優(yōu)勢,各大SiC廠(chǎng)商正在從技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)等多方面尋求合作共贏(yíng)。

其中,羅姆和東芝、IME和centrotherm、世紀金芯和湖南S公司、芯塔電子和中科海奧等更多是在技術(shù)方面展開(kāi)合作,Luminus和湖南三安將合力開(kāi)拓市場(chǎng),理想汽車(chē)則致力于擴大供貨渠道。

值得一提的是,理想汽車(chē)已和安森美、意法半導體兩大國際巨頭分別簽署了SiC長(cháng)期供貨協(xié)議。理想汽車(chē)目前在國內新能源汽車(chē)領(lǐng)域發(fā)展勢頭良好,正在積極將SiC功率器件引入旗下車(chē)型中,需求日益增長(cháng),提前鎖定國際巨頭SiC器件產(chǎn)能是明智之舉。與理想汽車(chē)合作,也有利于國際廠(chǎng)商在國內SiC市場(chǎng)深度滲透。

總結

在新能源汽車(chē)、光儲充、5G通信、軌道交通等領(lǐng)域廣闊的應用前景為SiC產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了巨大發(fā)展空間,SiC由此成為全球最熱門(mén)的投資領(lǐng)域之一,SiC產(chǎn)業(yè)有望在未來(lái)一段時(shí)間繼續保持較快增長(cháng)態(tài)勢。

SiC產(chǎn)業(yè)持續升溫將引來(lái)更多入局者,老玩家們也將持續加碼,火熱、高潮迭起將成為常態(tài),市場(chǎng)競爭也將日趨激烈。(文:集邦化合物半導體Zac)

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。