青禾晶元8英寸SiC鍵合襯底技術(shù)獲突破

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分類(lèi) 碳化硅SiC

4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過(guò)技術(shù)創(chuàng )新,在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展,在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

8英寸N型SiC復合襯底(source:青禾晶元)

青禾晶元介紹,對比6英寸SiC晶圓,8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍,芯片產(chǎn)出可增加80-90%,SiC晶圓升級到8英寸將會(huì )給汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)帶來(lái)重大收益,因此,SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認的發(fā)展趨勢。

但SiC長(cháng)晶受限于生長(cháng)良率低、周期長(cháng)等瓶頸導致成本無(wú)法有效降低。而先進(jìn)SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進(jìn)行鍵合集成,有效利用低質(zhì)量長(cháng)晶襯底,與長(cháng)晶技術(shù)一同推進(jìn)SiC材料成本的降低。

青禾晶元認為,本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備,有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程,為產(chǎn)業(yè)界客戶(hù)提供更具競爭力的價(jià)格。

據悉,半導體異質(zhì)集成技術(shù)可以提高碳化硅良率,而青禾晶元則是國內少數幾家使用該技術(shù)大幅提高碳化硅良率的公司之一,極具市場(chǎng)稀缺性。

青禾晶元成立于2020年7月,公司聚焦于新型半導體材料的研發(fā)生產(chǎn)制造,產(chǎn)品主要面向第三代半導體、三維集成、先進(jìn)封裝、功率模塊集成等應用領(lǐng)域,現已完成晶圓鍵合設備、Chiplet設備及功率模塊鍵合設備等多款設備的開(kāi)發(fā)及量產(chǎn),以及SiC、POI等鍵合集成襯底材料的規?;慨a(chǎn)。

值得一提的是,青禾晶元還擁有國內首條新型復合襯底量產(chǎn)線(xiàn)。2023年5月19日,青禾晶元天津新型鍵合集成襯底量產(chǎn)示范線(xiàn)通線(xiàn)活動(dòng)在濱海高新區圓滿(mǎn)舉辦。該產(chǎn)線(xiàn)是國內首條新型復合襯底量產(chǎn)線(xiàn),于2022年6月簽約落戶(hù),總投資9.9億,首期產(chǎn)能規模3萬(wàn)片,未來(lái)計劃達到15萬(wàn)片;襯底尺寸目前以6英寸為主,未來(lái)會(huì )轉到8英寸。(集邦化合物半導體 Winter整理?)

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