總投資1億歐元,愛(ài)思強新研發(fā)中心正式開(kāi)工建設

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 24 日 18:19 | 分類(lèi) 光電

今年5月,德國MOCVD設備商愛(ài)思強宣布擬投資建設新的創(chuàng )新研發(fā)中心,為已在準備的下一代產(chǎn)品及未來(lái)其他新產(chǎn)品提供更充足的生產(chǎn)能力,提升半導體沉積設備的研發(fā)能力。近日該項目迎來(lái)新的進(jìn)度。

11月23日,愛(ài)思強宣布,創(chuàng )新研發(fā)中心在德國黑措根拉特(Herzogenrath)總部正式開(kāi)始建設,項目總投資約1億歐元(約合人民幣7.6億元),項目包含1000㎡的潔凈室空間以及相關(guān)計量設備所需的額外空間。其中,潔凈室的潔凈程度可達到ISO 6級別,最高可提升至ISO 4級別。

研究中心將采用業(yè)界最新設施與技術(shù)進(jìn)行MOCVD設備研發(fā)工作。第一批設備系統將于2024年下半年搬入研發(fā)中心內,預計2025年初項目正式完成移交。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫

愛(ài)思強方面表示,公司近期成功發(fā)布了G10新品系列,已獲得非常高的客戶(hù)需求訂單,因此公司正處于產(chǎn)量提升階段。目前,公司已進(jìn)入到了下一代產(chǎn)品的研發(fā)中,新的創(chuàng )新中心將為公司團隊提供了研發(fā)下一代產(chǎn)品的能力。

據悉,愛(ài)思強近年持續加大對MOCVD技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)投入。今年,愛(ài)思強相繼發(fā)布了G10新品系列,包括用于SiC 電力電子器件生產(chǎn)的G10-SiC設備,用于Micro LED和激光器件生產(chǎn)的G10-AsP 以及用于GaN器件大規模生產(chǎn)的G10-GaN設備。

新設備性能的大幅提升,讓其獲得多個(gè)新老客戶(hù)的訂單,愛(ài)思強業(yè)績(jì)也獲得提升。今年三季度,在GaN和SiC應用領(lǐng)域高需求以及新產(chǎn)品G10-GaN推出的帶動(dòng)下,愛(ài)思強實(shí)現營(yíng)收1.65億歐元(約合人民幣12.97億元),同比增長(cháng)86%;息稅前利潤率從Q2的26%增長(cháng)至27%;毛利率提升至46%。

未來(lái)創(chuàng )新研發(fā)中心的建成,將進(jìn)一步提高愛(ài)思強研發(fā)能力,提升設備新品性能,推動(dòng)其在第三代半導體、Micro LED等領(lǐng)域發(fā)展布局,穩固愛(ài)思強在沉積設備領(lǐng)域的地位。(文:集邦化合物半導體)

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