9月10日,據(jù)Soitec官網(wǎng)消息,由Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟已經(jīng)開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)基于磷化銦(InP)的下一代高頻半導(dǎo)體。
source:Soitec
這項(xiàng)技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué),用于6G移動(dòng)通信的射頻前端和集成天線,以及亞太赫茲雷達(dá)傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。
據(jù)悉,磷化銦(InP)器件能夠在接近或超過(guò)1太赫茲(THz)的頻率下運(yùn)行,與硅基器件相比,提供了更快的速度和更高的能效。
Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟Move2THz由27個(gè)成員組成,旨在保障歐洲InP半導(dǎo)體的穩(wěn)健供應(yīng)和制造生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展,并解決相關(guān)產(chǎn)品更廣泛應(yīng)用的障礙,包括InP基先進(jìn)襯底的成本和可用性。該項(xiàng)目為期三年,已經(jīng)獲得了歐盟的資金支持,以及來(lái)自法國(guó)、瑞士、德國(guó)、瑞典、荷蘭和比利時(shí)政府的補(bǔ)充投資。
Soitec秘書(shū)長(zhǎng)艾曼紐埃爾·貝利(Emmanuelle Bely)表示:“這個(gè)項(xiàng)目標(biāo)志著在整合越來(lái)越強(qiáng)大、能效更高的半導(dǎo)體技術(shù)方面的一個(gè)重要里程碑。我們正在一起為基于磷化銦的創(chuàng)新鋪平道路,這將改變6G通信、光子學(xué)和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域。”
公開(kāi)資料顯示,Soitec于1992年成立于法國(guó),主營(yíng)半導(dǎo)體硅晶圓制造及銷售業(yè)務(wù),是全球最大的優(yōu)化半導(dǎo)體硅片襯底供應(yīng)商。而硅片經(jīng)過(guò)冶煉、鑄造及切割之后,Soitec使用其獨(dú)有的切割技術(shù),在兩層氧化硅之間插入絕緣層形成絕緣硅(SOI)晶圓,從而制造成射頻前端芯片、功率器件、汽車芯片、傳感芯片等產(chǎn)品。
目前,除了光子學(xué),Soitec的業(yè)務(wù)布局還包括RF-GaN、SmartSiC?、Power-GaN等化合物半導(dǎo)體材料,其在法國(guó)伯寧的新工廠已于2023年10月落成,該工廠投資額為3.8億歐元(約30億人民幣),占地面積2500平方米,2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬(wàn)片,其中80%為SmartSiC晶圓。
此外,Soitec布局了Smart Cut?、Smart Stacking?等技術(shù),其中,Smart Cut?技術(shù)能夠精準(zhǔn)切割碳化硅晶圓,提高碳化硅晶圓的良率和性能,并顯著增加產(chǎn)量。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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