加碼SiC,華為申請晶體生長(cháng)專(zhuān)利

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分類(lèi) 企業(yè)

天眼查資料顯示,4月5日,華為技術(shù)有限公司公開(kāi)一項“擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長(cháng)爐和生長(cháng)方法”專(zhuān)利,申請公布號為CN117822097A,申請日期為2022年9月28日。

source:天眼查

該專(zhuān)利摘要顯示,本申請實(shí)施例公開(kāi)了一種擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長(cháng)爐和生長(cháng)方法,涉及碳化硅晶體技術(shù)領(lǐng)域,有效改善晶體質(zhì)量。具體方案為:于晶體生長(cháng)爐內設置擋板,該擋板的通道可改變爐體內氣相源的運動(dòng)方向,將氣相源的運動(dòng)方向改變?yōu)樾毕蛏?,使氣相源朝向籽晶的小面運動(dòng)。本申請實(shí)施例可提高晶體的生長(cháng)速度,提高晶體的厚度和質(zhì)量,降低微管密度。另外,選用低密度石墨作為擋板的材料,當通道被封堵后,低密度石墨內的孔隙可以供氣體通過(guò),能進(jìn)一步降低晶體內包裹物的含量,提高晶體質(zhì)量。

目前,華為正在全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品方面,2023年4月,華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì ),發(fā)布了搭載高效SiC技術(shù)的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺”。

據華為介紹,DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺是業(yè)界最高效率量產(chǎn)高壓同步總成解決方案,基于高效SiC模組以及華為電機仿真尋優(yōu)平臺,華為打造92%CLTC效率的業(yè)界最高效的CLTC工況動(dòng)力總成,相對于業(yè)界同類(lèi)方案,效率領(lǐng)先1.5個(gè)百分點(diǎn);這款平臺同時(shí)支持750V和900+V雙電壓適配,在250A的快充樁上就可以實(shí)現極速4C充電,7.5分鐘把電池SOC從30%提升到80%,續航增加250km。

合作方面,2023年11月,華為攜手奇瑞發(fā)布的智界S7電動(dòng)汽車(chē),就搭載了全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動(dòng)力平臺。據悉,全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動(dòng)力平臺搭載了行業(yè)內量產(chǎn)最高轉速的電機,這款電機的每分轉速高達22000轉。

通過(guò)采用高壓SiC技術(shù),華為將電機的最高效率提升到了98%。這意味著(zhù)在相同的電量消耗下,華為的電機能夠提供更高的動(dòng)力輸出,從而為車(chē)輛帶來(lái)更好的加速性能和行駛效率。

投資方面,據集邦化合物半導體不完全統計,截至目前,華為通過(guò)旗下華為哈勃投資了SiC襯底企業(yè)山東天岳、天科合達,外延企業(yè)天域半導體、瀚天天成,設備相關(guān)企業(yè)特思迪,材料相關(guān)企業(yè)德智新材,華為投資對象遍及SiC全產(chǎn)業(yè)鏈。(集邦化合物半導體Zac整理)

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