8英寸擴軍,世紀金芯8英寸SiC加工線(xiàn)正式貫通

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分類(lèi) 企業(yè)

今年2月,合肥世紀金芯半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)世紀金芯)8英寸SiC加工線(xiàn)正式貫通并進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段,在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進(jìn)一步。

source:世紀金芯

據介紹,世紀金芯采用模擬軟件,首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場(chǎng)進(jìn)行模擬計算,營(yíng)造符合實(shí)際生長(cháng)過(guò)程的溫度和溫度梯度,并通過(guò)多次優(yōu)化數據庫參數,準確反映出溫場(chǎng)及余料情況,生長(cháng)晶體的4H-SiC晶型穩定性在90%以上。

世紀金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗,結合8英寸晶體生長(cháng)的熱場(chǎng)結構設計及工藝特性,在高穩定性長(cháng)晶爐的基礎上,采取了獨特的保溫設計和先進(jìn)的熱場(chǎng)分區結構,開(kāi)發(fā)出適用于8英寸SiC穩定生長(cháng)的工藝技術(shù),逐步減少生長(cháng)溫度、時(shí)間、氣壓、功率等參數變化量,獲得可重復性穩定參數,大幅提升了長(cháng)晶的穩定性、重現性,突破了大尺寸、低應力等SiC晶體制備關(guān)鍵技術(shù)。

據稱(chēng),世紀金芯開(kāi)發(fā)的8英寸SiC單晶生長(cháng)技術(shù)可重復生長(cháng)出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過(guò)10mm的晶體。8英寸加工線(xiàn)也同步建成,將配套8英寸單晶生長(cháng),通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化工藝,預期世紀金芯的8英寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。

世紀金芯自2019年12月成立以來(lái),致力于第三代半導體SiC功能材料研發(fā)與生產(chǎn),已經(jīng)解決了高純SiC粉料提純技術(shù)、6英寸SiC單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。

2022年9月,世紀金芯年產(chǎn)3萬(wàn)片6英寸SiC單晶襯底項目正式投產(chǎn),能在一定程度上緩解國內大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面。(集邦化合物半導體Zac整理)

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